NP160N04TUJ-E1-AY详细
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
NP160N04TUJ-E1-AY参数
包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):40V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:160A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:2 毫欧 @ 80A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):180nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):10350pF @ 25V,功率 - 最大值:1.8W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片）,供应商器件封装:TO-263-7
